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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:PLD脈沖激光濺射沉積設(shè)備

  • 產(chǎn)品型號:TN-PLD-450
  • 產(chǎn)品廠商:泰諾
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
該P(yáng)LD脈沖激光濺射沉積設(shè)備系列設(shè)備主要用于生長光學(xué)晶體、鐵電體、鐵磁體、超導(dǎo)體和有機(jī)化合物薄膜材料,尤其適用于生長高熔點(diǎn)、多元素及含有氣體元素的復(fù)雜層狀超晶格薄膜材料
詳情介紹:

雙室脈沖激光鍍膜機(jī)用于生長光學(xué)晶體、鐵電體、鐵磁體、超導(dǎo)體及有機(jī)化合物薄膜材料,適合生長高熔點(diǎn)、多元素及含有氣體元素的復(fù)雜層狀超晶格薄膜材料,廣泛應(yīng)用于大專院校薄膜材料研究及制作。

設(shè)備組成:

系統(tǒng)主要由濺射真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成.

實(shí)驗(yàn)室脈沖激光沉積技術(shù)參數(shù): 

產(chǎn)品名稱

PLD脈沖激光沉積蒸發(fā)鍍膜儀

產(chǎn)品型號

TN-PLD-450

主真空系統(tǒng)

球形結(jié)構(gòu),尺寸:直徑450mm

載樣系統(tǒng)

垂直圓柱形結(jié)構(gòu),尺寸:直徑150×150mm

真空系統(tǒng)配置

主真空室

機(jī)械泵、分子泵、閥門

裝載樣品系統(tǒng)

機(jī)械泵、分子泵(與主腔共用)、閥門

極限壓力

主真空系統(tǒng)

6*10-6Pa(烘烤、脫氣后)

裝載樣品系統(tǒng)

6*10-3 Pa(烘烤、脫氣后)

真空回收系統(tǒng)

主真空系統(tǒng)

20分鐘可達(dá)5x10-3Pa(系統(tǒng)短暫暴露于大氣中,充入干燥氮?dú)饧纯砷_始抽氣)

裝載樣品系統(tǒng)

20分鐘可達(dá)5x10-3Pa(系統(tǒng)短暫暴露于大氣中,充入干燥氮?dú)饧纯砷_始抽氣)

旋轉(zhuǎn)靶臺

靶材*大尺寸約60 or 25mm;可一次安裝4塊靶材,可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶; 每塊靶材可自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/

基片加熱臺

樣品尺寸

?. 51

運(yùn)動方式

基片可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/

加熱溫度

基片加熱*高溫度800C±1  C,可控可調(diào)

氣路系統(tǒng)

1 回路質(zhì)量流量控制器,1 回路充氣閥

可選配件

激光裝置

兼容相干201激光

激光束掃描裝置

2D掃描機(jī)械平臺,進(jìn)行二自由度掃描。

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

控制內(nèi)容包括普通轉(zhuǎn)換靶、靶旋轉(zhuǎn)、樣品旋轉(zhuǎn)、樣品溫度控制、激光束掃描等。

設(shè)備占地面積

主機(jī)

1800 * 1800mm2

電控柜

700 *700mm2(one)

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